石墨烯芯片将使中国芯实现弯道超车

一直以来，半导体芯片是我国科技发展的核心，我们生活中所用到的高科技产品都需要芯片驱动，目前在半导体芯片中，台积电的5mm技术最为先进，但科技的脚步是永不停止的，台积电一直致力于2nm乃至1nm级别的工艺发展，却一直未取得重大进展。

此前，3nm工艺一直被认为FinFET技术的极限，台积电的3nm工艺也一直采用着FinFET技术，并预计在下半年量产为苹果代工厂生产A15处理器，但随着苹果的A15处理器选择N5P工艺来看，台积电的3nm工艺量产可能再度延期而未能赶上A15处理器的量产时间。

业内一直认为硅基芯片的极限为1nm，3nm工艺是已经逼近硅基芯片的极限，芯片的工艺量产一直都是业内的技术难题，被第二代EUV光刻机影响着芯片的制造升级。ASML此前表示第二代EUV光刻机最快也要在2025年实现量产，但却在第一台第二代EUV光刻机交付给Inter时出现了延迟交付问题，这表明着第二代EUV光刻机未必能在2025年实现量产，芯片升级并将被ASMLZ制约，无法实现量产。

在台积电和Intel争相宣布2nm乃至1nm级别工艺进展的时候，中国芯片却在另辟蹊径研发石墨烯芯片，其实，早在2015年时中国就已经开始研发石墨烯芯片，据了解，石墨烯芯片在性能方面有望比硅基芯片提高10倍，并且功耗远远低于硅基芯片，石墨烯芯片取得的研究成果让石墨烯芯片有望成为攻克2nm技术的关键，破解硅基芯片的极限问题，绕开当前光刻机对中国芯片的阻碍，使得芯片行业取得跨时代发展，并对国外芯片技术实现弯道超车。

当前石墨烯芯片虽然尚未变成现实，但中国已开始将石墨烯技术应用于散热片、石墨烯电池上。相信在不久的将来，中国能将石墨烯芯片量产成为现实，打破ASML的光刻制约，形成自己的芯片产业链，取得芯片行业的领先优势。